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参数资料
| 型号： | SIA432DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 |
| 产品目录绘图： | SIA, SIB Series SC70-6, SC75-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 19.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIA432DJ-T1-GE3DKR |
SiA432DJ
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
30
24
18
V GS = 10 thru 4 V
5
4
3
T C = 25 °C
12
6
V GS = 3 V
2
1
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.030
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
800
0.025
0.020
0.015
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
600
400
200
C oss
0.010
0
C rss
0
6
12 18
24
30
0
6
12
18
24
30
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 10 A
1.7
I D = 5 A
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 15 V
V DS = 7.5 V
1.5
6
4
2
0
V DS = 22.5 V
1.3
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V, 10 V
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
S14-0179-Rev. C, 10-Feb-14
3
Document Number: 68697
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIA443DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 |
| SIA448DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V D-S SC70-6L |
| SIA461DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 12A SC706L |
| SIA511DJ-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6 |
| SIA513DJ-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIA433EDJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SIA433EDJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET -20V 18mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA436DJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SIA436DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8V 12A 19W 9.4mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA437DJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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