型号: | SIA432DJ-T1-GE3 |
厂商: | Vishay Siliconix |
文件页数: | 7/9页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 |
产品目录绘图: | SIA, SIB Series SC70-6, SC75-6 |
标准包装: | 1 |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 12A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 20 毫欧 @ 6A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 800pF @ 15V |
功率 - 最大: | 19.2W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | PowerPAK? SC-70-6 |
供应商设备封装: | PowerPAK? SC-70-6 单 |
包装: | 标准包装 |
产品目录页面: | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | SIA432DJ-T1-GE3DKR |