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参数资料
| 型号： | SIA432DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 |
| 产品目录绘图： | SIA, SIB Series SC70-6, SC75-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 19.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIA432DJ-T1-GE3DKR |
SiA432DJ
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
100
10
0.075
0.060
I D = 6 A
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.045
0.030
T J = 125 °C
0.01
0.001
T J = - 50 °C
0.015
0.000
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.3
0.1
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
30
25
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
T A = 25 °C
20
- 0.1
15
- 0.3
I D = 1 mA
10
- 0.5
- 0.7
I D = 250 μA
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power (Junction-to-Ambient)
100
Limited by R DS(on) *
10 μs
10
100 μs
1 ms
1
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
BVDSS
DC
Limited
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
S14-0179-Rev. C, 10-Feb-14
4
Document Number: 68697
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIA443DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 |
| SIA448DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V D-S SC70-6L |
| SIA461DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 12A SC706L |
| SIA511DJ-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIA433EDJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SIA433EDJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET -20V 18mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA436DJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SIA436DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8V 12A 19W 9.4mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA437DJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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