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参数资料
| 型号： | SIA513DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6 |
| 产品目录绘图： | Mosfet SC70-6, SC75-6 Package |
| 特色产品： | Power MOSFETs in PowerPAK? SC-70 Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A，3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 360pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIA513DJ-T1-GE3DKR |
New Product
SiA513DJ
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.30
0.25
0.20
I D = 3.4 A
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.15
0.10
0.05
0.00
T A = 125 °C
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
20
15
10
5
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
10 Limited b y
R DS(on) *
100 μ s
P u lse (s)
Single Pulse Power
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS Limited
1 ms
10 ms
100 ms
1 s, 10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 70443
S-80437-Rev. B, 03-Mar-08
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| SiA517DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W 29/61mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA519EDJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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