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参数资料
| 型号： | SIA814DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6 |
| 产品目录绘图： | Mosfet SC70-6, SC75-6 Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 61 毫欧 @ 3.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 340pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 6.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIA814DJ-T1-GE3DKR |
New Product
SiA814DJ
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode
0.072 at V GS = 4.5 V
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
0.061 at V GS = 10 V
30
0.110 at V GS = 2.5 V
I D (A) a
4.5
4.5
4.5
Q g (Typ.)
3.2 nC
FEATURES
? Halogen-free
? LITTLE FOOT ? Plus Schottky Power MOSFET
? New Thermally Enhanced PowerPAK ?
SC-70 Package
- Small Footprint Area
RoHS
COMPLIANT
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY
- Low On-Resistance
- Thin 0.75 mm profile
V KA (V)
30
V f (V)
Diode Forward Voltage
0.56 at 1 A
I F (A) a
2
APPLICATIONS
? DC/DC Converter for Portable Devices
? Load Switch for Portable Devices
PowerPAK SC-70-6 Dual
D
1
K
A
2
N C
Markin g Code
6
K
G
K
D
3
D
0.75 mm
Part # code
GBX
XXX
Lot Tracea b ility
and Date code
G
5
2.05 mm
4
S
2.05 mm
Ordering Information: SiA814DJ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
S
N -Channel MOSFET
A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwis e noted
Parameter
Drain-Source Voltage (MOSFET)
Reverse Voltage (Schottky)
Gate-Source Voltage (MOSFET)
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V KA
V GS
Limit
30
30
± 12
4.5 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) (MOSFET)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
4.5 a
4.3 b, c
3.4 b, c
Pulsed Drain Current (MOSFET)
I DM
15
A
Continuous Source-Drain Diode Current
(MOSFET Diode Conduction)
Average Forward Current (Schottky)
Pulsed Forward Current (Schottky)
Maximum Power Dissipation (MOSFET)
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I S
I F
I FM
4.5 a
1.6 b, c
2 b
3
6.5
5
1.9 b, c
Maximum Power Dissipation (Schottky)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature) d, e
Document Number: 68672
S-81176-Rev. A, 26-May-08
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
1.2 b, c
6.8
4.3
1.6 b, c
1.0 b, c
- 55 to 150
260
W
°C
www.vishay.com
1
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