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参数资料
| 型号： | SIA814DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6 |
| 产品目录绘图： | Mosfet SC70-6, SC75-6 Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 61 毫欧 @ 3.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 340pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 6.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIA814DJ-T1-GE3DKR |
New Product
SiA814DJ
Vishay Siliconix
SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Drain-Source Body Diode Characteristics
Continuous Source-Drain Diode Current
Pulse Diode Forward Current
I S
I SM
T C = 25 °C
4.5
15
A
Body Diode Voltage
Body Diode Reverse Recovery Time
Body Diode Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Fall Time
Reverse Recovery Rise Time
V SD
t rr
Q rr
t a
t b
I S = 3.5 A, V GS = 0 V
I F = 3.5 A, dI/dt = 100 A/μs, T J = 25 °C
0.8
12
6
8
4
1.2
20
15
V
ns
nC
ns
Notes:
a. Pulse test; pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 %.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
SCHOTTKY SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I F = 0.5 A
0.37
0.45
Forward Voltage Drop
V F
I F = 0.5 A, T J = 125 °C
I F = 1 A
0.31
0.46
0.37
0.56
V
I F = 1 A, T J = 125 °C
0.41
0.50
Maximum Reverse Leakage Current
Junction Capacitance
I rm
C T
V r = 30 V
V r = 30 V, T J = 85 °C
V r = 15 V
0.025
0.6
35
0.1
6.00
mA
pF
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation
of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum
rating conditions for extended periods may affect device reliability.
Document Number: 68672
S-81176-Rev. A, 26-May-08
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
|---|---|
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| SI-A8W032180EU | 制造商:Samsung 功能描述:Bulk |
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