参数资料
型号: SIA513DJ-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 7/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6
产品目录绘图: Mosfet SC70-6, SC75-6 Package
特色产品: Power MOSFETs in PowerPAK? SC-70 Package
标准包装: 1
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.5A,3.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 3.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 360pF @ 10V
功率 - 最大: 1.9W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SC-70-6 双
供应商设备封装: PowerPAK? SC-70-6 双
包装: 标准包装
产品目录页面: 1666 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: SIA513DJ-T1-GE3DKR
New Product
SiA513DJ
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Notes:
0.1
0.05
0.02
P DM
t 1
t 1
t 2
t 2
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 85 °C/W
0.01
Single Pulse
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Document Number: 70443
S-80437-Rev. B, 03-Mar-08
www.vishay.com
7
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PDF描述
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SIA519EDJ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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