- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录514 > SIA917DJ-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIA917DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 |
| 产品目录绘图： | Mosfet SC70-6, SC75-6 Package |
| 特色产品： | Power MOSFETs in PowerPAK? SC-70 Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIA917DJ-T1-GE3DKR |
New Product
SiA917DJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
6
4
V GS = 5 thru 3 V
2.5 V
2V
5
4
3
2
T C = 125 °C
2
0
1.5 V
1
0
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.30
V DS - D r a i n - t o - S o u r c e V o l t a g e ( V )
Output Characteristics
400
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.25
300
0.20
0.15
0.10
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
200
C iss
0.05
100
C rss
C oss
0.00
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
I D = 3.3 A
V DS = 10 V
1.4
I D = 2.5 A
V GS = 2.5 V
6
4
2
0
V DS = 16 V
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V
0
2
4
6
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70444
S-80436-Rev. B, 03-Mar-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIB406EDK-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6 |
| SIB408DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK SC75-6L |
| SIB412DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 |
| SIB413DK-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 |
| SIB433EDK-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V SC-75-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIA920DJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SIA920DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8V 4.5A 7.8W 27mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA921EDJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SIA921EDJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET -20V 59mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA921EDJ-T4-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。