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参数资料
| 型号： | SIC762CD-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 9/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTLR PFC STAGE PPAK MLP66-40 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | DrMOS |
| 类型： | 高端/低端驱动器 |
| 输入类型： | PWM |
| 输出数： | 1 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 35A |
| 电源电压： | 3 V ~ 24 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? MLP66-40 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? MLP66-40 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIC762CD-T1-GE3DKR |
SiC762CD
Vishay Siliconix
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1.6
1.5
1.4
1. 8 0
1.75
1.70
1.65
1.3
1.60
1.2
1.55
1.1
1.0
0.9
1.50
1.45
1.40
- 40 - 25 - 10
5
20 35 50 65 8 0 95 110 125 140
- 40 - 25 - 10
5
20 35 50 65 8 0 95 110 125 140
Temperat u re (°C)
SMOD Falling Threshold (V) vs. Temperature (°C)
V CIN = V DRV = 5 V
60
50
50
45
Temperat u re (°C)
SMOD Rising Threshold (V) vs. Temperature (°C)
V CIN = V DRV = 5 V
40
40
30
35
20
10
0
30
25
- 40 - 25 - 10
5
20 35 50 65 8 0 95 110 125 140
- 40 - 25 - 10
5
20 35 50 65 8 0 95 110 125 140
Temperat u re (°C)
I CIN + I DRV (mA) vs. Temperature at Frequency = 1 MHz
D = 10 %, V CIN = V DRV = 5 V
1.6
1.5
4.4
4.2
Temperat u re (°C)
I DRV (mA) vs. Temperature at Frequency = 1 MHz
D = 10 %, V CIN = V DRV = 5 V
4.0
1.4
3. 8
1.3
3.6
1.2
3.4
1.1
1.0
3.2
3.0
- 40 - 25 - 10
5
20 35 50 65 8 0 95 110 125 140
- 40 - 25 - 10
5
20 35 50 65 8 0 95 110 125 140
Temperat u re (°C)
PWM Falling Tristate (V) vs. Temperature (°C)
V CIN = V DRV = 5 V
Document Number: 65727
S10-0275-Rev. A, 08-Feb-10
Temperat u re (°C)
PWM Rising Tristate Threshold (V) vs. Temperature (°C)
V CIN = V DRV = 5 V
www.vishay.com
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PDF描述 |
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