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参数资料
| 型号： | SIE848DF-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 138nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6100pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-PolarPAK?（L） |
| 供应商设备封装： | 10-PolarPAK?（L） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIE848DF-T1-GE3DKR |
New Product
SiE848DF
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
V GS = 10 V thr u 4 V
8 0
V GS = 3 V
25 °C, unless otherwise noted
20
15
T C = - 55 °C
60
10
40
20
0
V GS = 2 V
5
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0022
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
8 000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0020
V GS = 4.5 V
7000
C iss
6000
0.001 8
0.0016
0.0014
V GS = 10 V
5000
4000
3000
2000
C oss
0.0012
1000
0.0010
0
C rss
0
20
40
60
8 0
100
0
5
10
15
20
25
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 20 A
8
1. 8
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 25 A
6
V DS = 15 V
1.4
V GS = 10 V
4
2
0
V DS = 24 V
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V
0
20
40
60
8 0
100
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68821
S09-1338-Rev. B, 13-Jul-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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参数描述 |
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