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参数资料
| 型号： | SIE848DF-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 138nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6100pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-PolarPAK?（L） |
| 供应商设备封装： | 10-PolarPAK?（L） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIE848DF-T1-GE3DKR |
New Product
SiE848DF
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
t 1
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 55 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case (Drain Top)
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
Single Pulse
0.02
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Source
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?68821 .
www.vishay.com
6
Document Number: 68821
S09-1338-Rev. B, 13-Jul-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 53AAA-B28-B20L | POT 100K OHM 1/2" SQ 1/2W PLAS |
| 53CAA-E28-B18L | POT 50K OHM 1/2" SQ 1/2W PLAS |
| 7L-19.200MCG-T | OSC TCXO 19.200 MHZ 2.5V SMD |
| ASDMB-1.8432MHZ-LY-T | OSC MEMS 1.8432 MHZ SMD |
| 53AAA-B28-B18L | POT 50K OHM 1/2" SQ 1/2W PLAS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIE850DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE850DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE854DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE854DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE860DF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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