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参数资料
| 型号： | SIHF15N60E-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | E 系列 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 76nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220 整包 |
| 包装： | 散装 |
SiHF15N60E
www.vishay.com
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Vishay Siliconix
PARAMETER
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Case (Drain)
SYMBOL
R thJA
R thJC
TYP.
-
-
MAX.
65
3.7
UNIT
°C/W
SPECIFICATIONS (T J = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS Temperature Coefficient
Gate-Source Threshold Voltage (N)
Gate-Source Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
V DS
? V DS /T J
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μA
Reference to 25 °C, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 250 μA
V GS = ± 20 V
V DS = 600 V, V GS = 0 V
V DS = 480 V, V GS = 0 V, T J = 125 °C
600
-
2
-
-
-
-
0.71
-
-
-
-
-
-
4
± 100
1
10
V
V/°C
V
nA
μA
Drain-Source On-State Resistance
R DS(on)
V GS = 10 V
I D = 8 A
-
0.23
0.28
?
Forward Transconductance
g fs
V DS = 30 V, I D = 8 A
-
4.6
-
S
Dynamic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
V GS = 0 V,
V DS = 100 V,
f = 1 MHz
-
-
-
1350
70
5
-
-
-
Effective Output Capacitance, Energy
Related a
Effective Output Capacitance, Time
Related b
Total Gate Charge
C o(er)
C o(tr)
Q g
V DS = 0 V to 480 V, V GS = 0 V
-
-
-
53
177
39
-
-
78
pF
Gate-Source Charge
Q gs
V GS = 10 V
I D = 8 A, V DS = 480 V
-
11
-
nC
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Q gd
t d(on)
-
-
17
16
-
32
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Gate Input Resistance
t r
t d(off)
t f
R g
V DD = 480 V, I D = 8 A,
V GS = 10 V, R g = 9.1 ?
f = 1 MHz, open drain
-
-
-
-
26
41
22
0.86
52
82
44
-
ns
?
Drain-Source Body Diode Characteristics
Continuous Source-Drain Diode Current
Pulsed Diode Forward Current
I S
I SM
MOSFET symbol
showing the ?
integral reverse ?
p - n junction diode
G
D
S
-
-
-
-
15
60
A
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
V SD
t rr
Q rr
I RRM
T J = 25 °C, I S = 8 A, V GS = 0 V
T J = 25 °C, I F = I S = 8 A,
dI/dt = 100 A/μs, V R = 25 V
-
-
-
-
1.0
302
4.0
24
1.2
604
8
-
V
ns
μC
A
Notes
a. C oss(er) is a fixed capacitance that gives the same energy as C oss while V DS is rising from 0 % to 80 % V DSS .
b. C oss(tr) is a fixed capacitance that gives the same charging time as C oss while V DS is rising from 0 % to 80 % V DSS .
S13-1508-Rev. E, 08-Jul-13
2
Document Number: 91480
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIHF15N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 280mOhms@10V 15A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:600 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:15 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.28 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 Full Pak 封装:Bulk |
| SiHF15N65E-GE3 | 功能描述:MOSFET 650V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:15 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.28 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Bulk |
| SiHF16N50C-E3 | 功能描述:MOSFET N-Channel 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHF18N50C-E3 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SIHF18N50D-E3 | 功能描述:MOSFET 500V 280mOhm@10V 18A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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