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参数资料
| 型号： | SIHF15N60E-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | E 系列 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 76nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220 整包 |
| 包装： | 散装 |
SiHF15N60E
100
www.vishay.com
T J = 150 °C
20
15
Vishay Siliconix
10
T J = 25 °C
10
1
5
V GS = 0 V
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
25
50
75
100
125
150
V S D , S ource-Drain Voltage (V)
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
1000
T J , Case Temperature (°C)
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
750
100
Operation in thi s Area
Limited by R D S (on)
I DM = Limited
725
700
675
10
100 μ s
650
1
Limited by R D S (on) *
1 m s
625
600
0.1
T C = 25 °C
T J = 150 °C
S ingle Pul s e
BVD SS Limited
10 m s
575
550
0.01
525
1
10 100 1000
V D S - Drain -to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
S ingle Pul s e
0.01
- 60 - 40 - 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 10 - Temperature vs. Drain-to-Source Voltage
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pul s e Time ( s )
Fig. 11 - Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
S13-1508-Rev. E, 08-Jul-13
4
Document Number: 91480
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIHF18N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP |
| SIHF6N40D-E3 | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK |
| SIHG20N50C-E3 | MOSFET N-CH 500V 20A TO247 |
| SIHG24N65E-E3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC |
| SIHP12N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIHF15N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 280mOhms@10V 15A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:600 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:15 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.28 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 Full Pak 封装:Bulk |
| SiHF15N65E-GE3 | 功能描述:MOSFET 650V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:15 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.28 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Bulk |
| SiHF16N50C-E3 | 功能描述:MOSFET N-Channel 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHF18N50C-E3 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SIHF18N50D-E3 | 功能描述:MOSFET 500V 280mOhm@10V 18A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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