型号: | SIJ800DP-T1-GE3 |
厂商: | Vishay Siliconix |
文件页数: | 1/9页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L |
标准包装: | 3,000 |
系列: | TrenchFET® |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 40V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 20A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 9.5 毫欧 @ 20A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 56nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 2400pF @ 20V |
功率 - 最大: | 35.7W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | PowerPAK? SO-8 |
供应商设备封装: | PowerPAK? SO-8 |
包装: | 带卷 (TR) |