参数资料
型号: SIJ800DP-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 4/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L
标准包装: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9.5 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 20V
功率 - 最大: 35.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 带卷 (TR)
SiJ800DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
T J = 25 °C
0.030
0.025
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = - 55 °C
0.020
0.015
0.010
0.005
T J = 25 °C
T J = 125 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.6
0.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
500
400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
300
- 0.2
- 0.6
I D = 1 mA
200
T A = 25 °C
100
I D = 250 μ A
- 1.0
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
1000
100
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10 μs
100 μ s
10
1 ms
1
10 ms
100 ms
1s
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS
10 s
100 s, DC
Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 64803
S09-0668-Rev. A, 20-Apr-09
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