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参数资料
| 型号： | SIR-505STA47F |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EMITTER IR 950NM T1 3/4 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| 辐射强度(le)最小值@正向电流： | 5.6mW/sr @ 50mA |
| 波长： | 950nm |
| 正向电压： | 1.38V |
| 视角： | 30° |
| 方向： | 顶视图 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | T 1 3/4 |
| 包装： | 袋 |
| 产品目录页面： | 2791 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 511-1345 SIR-505STA47 |
SIR-505STA47
Sensors
Electrical and optical characteristic curves
100
100
80
100
80
60
? 25 ° C
0 ° C
25 ° C
50 ° C
75 ° C
80
60
60
40
20
40
20
40
20
0
? 20
0 20 40 60 80
AMBIENT TEMPERATURE : Ta ( ° C)
100
0
0
1
FORWARD VOLTAGE : V F ( V )
2
0
900
920 940 960 980
OPTICAL WAVELENGTH : λ (nm)
1000
Fig.1 Forward current falloff
Fig.2 Forward current vs. forward voltage
Fig.3 Wavelength characteristics
20
200
16
100
12
50
8
20
4
10
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
? 25
0
25
50
75
100
FORWARD CURRENT : I F (mA)
Fig.4 Emitting strength vs.
forward current
AMBIENT TEMPERATURE : Ta ( ° C)
Fig. 5 Relative emitting strength vs.
ambient temperature
20 °
10 °
0 °
100
30 °
40 °
80
50 °
60
60 °
70 °
80 °
40
20
90 °
100
80
60
40
20
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
90
RELATIVE EMITTING STRENGTH (%)
ANGULAR DISPLACEMENT : θ (deg)
Fig. 6 Directional pattern
Rev.A
2/2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR-563ST3FM | EMITTER IR 940NM 5MM |
| SIR-568ST3F | EMITTER IR 850NM T1 3/4 |
| SIR-56ST3FF | EMITTER IR 950NM 5MM |
| SIR12-21C/TR8 | LED IR GAA1AS WATER CLR RA SMD |
| SIR158DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR-505STA47L | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:SIR-505STA47L Series 1.38 V 950 nm Infrared Light Emitting Diodes Top View Type |
| SIR-505STA47M | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| SIR512 12VDC | 制造商:American Electronic Components Inc 功能描述:RELAYS |
| SIR512 12VDC SEN | 制造商:American Electronic Components Inc 功能描述:RELAYS |
| SIR-563ST3F | 功能描述:红外发射源 IR LED HIGH OUTPUT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
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