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参数资料
| 型号： | SIR383 |
| 厂商： | Everlight Electronics Co Ltd |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | LED IR 5MM BLUE WATER CLEAR AXL |
| 标准包装： | 500 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| 辐射强度(le)最小值@正向电流： | 20mW/sr @ 20mA |
| 波长： | 875nm |
| 正向电压： | 1.3V |
| 视角： | 20° |
| 方向： | 顶视图 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | 1080-1175 |
SIR383
Typical Electro-Optical Characteristics Curves
Fig.1 Forward Current vs.
Ambient Temperature
Fig.2 Spectral Distributio n
140
120
100
80
60
40
20
100
80
60
40
20
I F =20mA
Ta=25°C
0
-40 -20 0
20
40
60
80
100
0
810 835 855 875 905 925 945 965 985
Fig.3 Peak Emission Wavelength
Ambient Temperature
Fig.4 Forward Current
vs. Forward Voltage
920
900
875
860
10
10
10
4
3
2
84 0
1
10
-25
0
25
50
75
100
0
1
2
3
4
Everlight Electronics Co., Ltd.
http:\\www.everlight.com
Rev 1
Page: 4 of 7
Device No ： CDIS-038-001
Prepared date ： 2006/7/21
Prepared by ： wangyinsheng
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR404DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC |
| SIR406DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 8SOIC |
| SIR414DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC |
| SIR418DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC |
| SIR436DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR383C | 功能描述:红外发射源 Infrared LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| SIR-38EH | 制造商:Russell 功能描述: |
| SIR401DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET -20V 3.2mOhm@10V 50A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR402DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SIR402DP_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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