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参数资料
| 型号： | SIR383C |
| 厂商： | Everlight Electronics Co Ltd |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | LED IR 5MM BLUE WATER CLEAR AXL |
| 标准包装： | 500 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| 辐射强度(le)最小值@正向电流： | 20mW/sr @ 20mA |
| 波长： | 875nm |
| 正向电压： | 1.3V |
| 视角： | 20° |
| 方向： | 顶视图 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | 1080-1176 |
SIR383C
Package Dimensions
Notes: 1.All dimensions are in millimeters
2.Tolerances unless dimensions ± 0.25mm
Absolute Maximum Ratings (Ta=25 ℃ )
Parameter
Continuous Forward Current
Symbol
I F
Rating
100
Units
mA
Peak Forward Current
Reverse Voltage
Operating Temperature
Storage Temperature
Soldering Temperature
*1
*2
I FP
V R
T opr
T stg
T sol
1.0
5
-40 ~ +85
-40 ~ +85
260
A
V
℃
℃
℃
Power Dissipation at(or below)
P d
150
mW
25 ℃ Free Air Temperature
Notes: *1:I FP Conditions--Pulse Width ≦ 100 μ s and Duty ≦ 1%.
*2:Soldering time ≦ 5 seconds.
Everlight Electronics Co., Ltd.
http:\\www.everlight.com
Rev 2
Page: 2 of 7
Device No ： DIS-038-004
Prepared date ： 08-22-2005
Prepared by ： JAINE TSAI
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR383 | LED IR 5MM BLUE WATER CLEAR AXL |
| SIR404DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC |
| SIR406DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 8SOIC |
| SIR414DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC |
| SIR418DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR-38EH | 制造商:Russell 功能描述: |
| SIR401DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET -20V 3.2mOhm@10V 50A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR402DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SIR402DP_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SiR402DP-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N, SO-8 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET, N, SO-8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:35A, 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N, SO-8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:35A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):6mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Power Dissipation Pd:4.2W, Operating Temperature Range:-55C to, RoHS Compliant: Yes |
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