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参数资料
| 型号： | SIR436DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1715pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIR436DP-T1-GE3DKR |
SiR436DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8 0
10
60
40
V GS = 10 thr u 4 V
V GS = 3 V
8
6
4
T C = 25 °C
20
2
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.00 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.006
0.004
0.002
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1 8 00
1200
600
C oss
C iss
C rss
0.000
0
0
20
40
60
8 0
100
120
0
5
10
15
20
25
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 20 A
8
6
1.7
1.5
1.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
V GS = 10 V
4
2
0
V DS = 6 V
V DS = 12.5 V
V DS = 19 V
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V
0
6
12
1 8
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69011
S-82666-Rev. A, 03-Nov-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR440DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A PPAK 8SOIC |
| SIR462DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK 8SOIC |
| SIR464DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR438DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
| SIR438DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 25V 60A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR440DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SIR440DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 60A 104W 1.55mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR460DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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