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参数资料
| 型号： | SIR470DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SOIC |
| 产品目录绘图： | DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.3 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5660pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 104W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIR470DP-T1-GE3DKR |
New Product
SiR470DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8 0
64
4 8
V GS = 10 thr u 4 V
10
8
6
32
16
0
V GS = 3 V
4
2
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.0025
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
7500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0023
0.0021
V GS = 4.5 V
6000
4500
C iss
V GS = 10 V
0.0019
3000
0.0017
0.0015
1500
0
C rss
C oss
0
16
32
4 8
64
8 0
0
8
16
24
32
40
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
V DS = 20 V
I D = 20 A
8
1.5
V GS = 10 V
6
V DS = 10 V
4
V DS = 30 V
1.2
V GS = 4.5 V
0.9
2
0
0.6
0
21
42
63
8 4
105
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 68899
S-82295-Rev. A, 22-Sep-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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