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参数资料
| 型号： | SIR67-21C/B/TR8 |
| 厂商： | EVERLIGHT ELECTRONICS CO LTD |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, 2 PIN |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 227K |
| 代理商： | SIR67-21C/B/TR8 |
Everlight Electronics Co., Ltd.
http:\\www.everlight.com
Rev 2
Page: 5 of 10
Device No：DTS-067-166
Prepared date：07-20-2005
Prepared by：David Huang
0.6
-20
0.9
0.7
0.8
1.0
0.2
0.4
0
0.2 0.4 0.6
50
70
80
60
40
30
-10
020
10
25
1.1
1.2
1.3
1.4
50
75
100
120
IF=20mA
SIR67-21C/B/TR8
Typical Electro-Optical Characteristics Curves
Fig.5 Relative Intensity vs. Forward Current
Fig.6 Relative Radiant Intensity vs. Angular
Displacement
Fig.7 Relative Intensity vs. Ambient
Fig.8 Forward Voltage vs. Ambient
Temperature(°C)
0
IF-Forward Current (mA)
10
0
10
1
10
23
10
4
Ie-Radiant
Intensity(mW/sr)
1
2
3
25
0
0.2
0.4
0.6
50
75
100
120
IF=20mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR67-21C/L9/TR10 | 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
| SIR67-21C/TR8 | 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
| SIR91-21C/TR7 | 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
| SIR95-21C/TR7 | 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
| SK44LT/R7 | 4 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR67-21C-TR8 | 制造商:EVERLIGHT 制造商全称:Everlight Electronics Co., Ltd 功能描述:Top Infrared LED |
| SIR688DP-T1-GE3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:N-CH POWERPAK SO-8 BWL SPLIT GATE 60V 3.5MOHM@10V - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Ch PowerPAK SO-8 BWL split gate 60V 3.5mohm@10V |
| SIR698DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 7.5A 23W 195mOhm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR770DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIR770DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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