| 型号: | SIR67-21C/B/TR8 |
| 厂商: | EVERLIGHT ELECTRONICS CO LTD |
| 元件分类: | 红外LED |
| 英文描述: | 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
| 封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, 2 PIN |
| 文件页数: | 8/10页 |
| 文件大小: | 227K |
| 代理商: | SIR67-21C/B/TR8 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR67-21C/L9/TR10 | 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
| SIR67-21C/TR8 | 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
| SIR91-21C/TR7 | 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
| SIR95-21C/TR7 | 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
| SK44LT/R7 | 4 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR67-21C-TR8 | 制造商:EVERLIGHT 制造商全称:Everlight Electronics Co., Ltd 功能描述:Top Infrared LED |
| SIR688DP-T1-GE3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:N-CH POWERPAK SO-8 BWL SPLIT GATE 60V 3.5MOHM@10V - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Ch PowerPAK SO-8 BWL split gate 60V 3.5mohm@10V |
| SIR698DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 7.5A 23W 195mOhm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR770DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIR770DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |