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参数资料
| 型号： | SIR802DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1785pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 27.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIR802DP-T1-GE3DKR |
New Product
SiR802DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
10
56
V GS = 10 V thr u 3 V
8
42
2 8
14
0
V GS = 2 V
6
4
2
0
T C = 125 °C
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
0.00 8
0.007
0.006
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 2.5 V
2500
2000
1500
C iss
C oss
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.005
0.004
0.003
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1000
500
0
C rss
0
14
2 8
42
56
70
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 10 A
I D = 10 A
V GS = 2.5 V
8
6
V DS = 5 V
V DS = 10 V
1.5
1.3
V GS = 10 V
4
2
0
V DS = 15 V
1.1
0.9
0.7
0
7
14
21
2 8
35
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65671
S10-0217-Rev. A, 25-Jan-10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR826DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK |
| SIR844DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC |
| SIR846ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 60A SO8 |
| SIR850DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 30A PPAK 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR804DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
| SIR804DP_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
| SIR804DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 7.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR808DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25 V (D-S) MOSFET |
| SIR808DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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