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参数资料
型号： SIR802DP-T1-GE3
厂商： Vishay Siliconix
文件页数： 8/9页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC
标准包装： 1
系列： TrenchFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 30A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 5 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 32nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1785pF @ 10V
功率 - 最大： 27.7W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK? SO-8
供应商设备封装： PowerPAK? SO-8
包装： 标准包装
其它名称： SIR802DP-T1-GE3DKR
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? SO-8 Single
0.260
(6.61)
0.150
(3.81)
0.024
(0.61)
0.026
(0.66)
0.050
(1.27)
0.032
(0.82)
0.040
(1.02)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72599
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
15
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PDF描述
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