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参数资料
| 型号： | SIR8314-24C |
| 厂商： | EVERLIGHT ELECTRONICS CO LTD |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | INFRARED LED |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | SIR8314-24C |
Everlight Electronics Co., Ltd.
http://www.everlight.com
Rev 1
Page: 4 of 7
Device No
：DIR-0000047
Prepared date
：08-14-2008
Prepared by
：Daniel Yang
810
0
20
40
60
80
100
925
875
835 855
905
965
945
985
IF=20mA
Ta=25°C
0
10
1
10
2
3
10
4
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4
75
-25
840
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25
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920
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0
-40 -20
40
20
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80
20
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60
100
80
120
140
120
SIR8314-24C
Typical Electro-Optical Characteristics Curves
Fig.1 Forward Current vs.
Fig.2 Spectral Distribution
Ambient Temperature
Fig.3
Peak Emission Wavelength
Fig.4
Forward Current
Ambient Temperature
vs. Forward Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SJ-12A01N | TRIGGER OUTPUT SOLID STATE RELAY, 2500 V ISOLATION-MAX |
| SJ-5A01HZRN | TRIGGER OUTPUT SOLID STATE RELAY, 2500 V ISOLATION-MAX |
| SJ-5D01HZN | TRANSISTOR OUTPUT SOLID STATE RELAY, 2500 V ISOLATION-MAX |
| SJ-3A01R | TRIGGER OUTPUT SOLID STATE RELAY, 2500 V ISOLATION-MAX |
| SJ-5D01HZ | TRANSISTOR OUTPUT SOLID STATE RELAY, 2500 V ISOLATION-MAX |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR836DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SIR836DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40 Volts 21 Amps 15.6 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR838DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 35A 96W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR840DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30-V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR841500 | 制造商:CELDUC 制造商全称:celduc-relais 功能描述:New Solid State Relay compact size pitch 22,5mm |
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