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参数资料
| 型号： | SIR8314-24C |
| 厂商： | EVERLIGHT ELECTRONICS CO LTD |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | INFRARED LED |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | SIR8314-24C |
Everlight Electronics Co., Ltd.
http://www.everlight.com
Rev 1
Page: 5 of 7
Device No
：DIR-0000047
Prepared date
：08-14-2008
Prepared by
：Daniel Yang
SIR8314-24C
Typical Electro-Optical Characteristics Curves
Fig.5 Relative Radiant Intensity vs.
Angular Displacement
-20
0.6
0.9
0.7
0.8
1.0
0.2
0.4
0
0.2 0.4 0.6
50
70
80
60
40
30
-10
0
20
10
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR836DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SIR836DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40 Volts 21 Amps 15.6 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR838DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 35A 96W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR840DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30-V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR841500 | 制造商:CELDUC 制造商全称:celduc-relais 功能描述:New Solid State Relay compact size pitch 22,5mm |
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