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参数资料
| 型号： | SIR862DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.8 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3800pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 69W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIR862DP-T1-GE3DKR |
New Product
SiR862DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
10
56
42
2 8
V GS = 10 V thru 3 V
8
6
4
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
14
0
V GS = 2 V
2
0
T C = 25 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.0030
0.002 8
0.0026
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
4600
36 8 0
2760
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.0024
1 8 40
C oss
0.0022
0.0020
V GS = 10 V
920
0
C rss
0
14
2 8
42
56
70
0
5
10
15
20
25
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
6
I D = 10 A
V DS = 5 V
1.4
1.2
I D = 10 A
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
4
2
0
V DS = 10 V
V DS = 15 V
1.0
0. 8
0.6
0
13
26
39
52
65
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - TotalGateCharge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65672
S10-0041-Rev. A, 11-Jan-10
T J - J u nctionTemperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR878ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 40A POWERPAK |
| SIR878DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 8-SOIC |
| SIR888DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR864DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIR864DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR866DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SIR866DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 60A 83W 1.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR870ADP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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