- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录516 > SIR878DP-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 100V 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIR878DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1250pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 44.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIR878DP-T1-GE3DKR |
New Product
SiR878DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
80
10
64
48
32
16
V GS = 10 V thru 5 V
V GS = 4 V
8
6
4
2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
V GS = 3 V
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.035
0.028
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
2200
1760
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.021
V GS = 4.5 V
1320
C iss
0.014
V GS = 7.5 V
880
0.007
0.000
V GS = 10 V
440
0
C rss
C oss
0
16
32
48
64
80
0
20
40
60
80
100
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 10 A
2.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 15 A
8
6
4
2
0
V DS = 25 V
V DS = 50 V
V DS = 75 V
1.7
1.4
1.1
0.8
0.5
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
0
6
12
18
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65939
S10-2685-Rev. B, 22-Nov-10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR888DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK 8SOIC |
| SIR890DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK 8SOIC |
| SIR892DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 50A PPAK 8SOIC |
| SIR928-6C-F | LED IR SIDE GAA1AS WATER CLR AXL |
| SIRA02DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A SO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR880ADP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
| SIR880ADP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 80V 6.3mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR880DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 100 % UIS Tested |
| SIR880DP_1011 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
| SIR880DP_1209 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。