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参数资料
| 型号： | SIR878DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1250pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 44.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIR878DP-T1-GE3DKR |
New Product
SiR878DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
10
0.080
0.064
I D = 15 A
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.048
0.032
0.016
0.000
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.4
0.2
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
160
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.0
120
- 0.2
- 0.4
I D = 5 mA
80
- 0.6
- 0.8
I D = 250 μA
40
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
10
1 ms
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 65939
S10-2685-Rev. B, 22-Nov-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR888DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK 8SOIC |
| SIR890DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK 8SOIC |
| SIR892DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 50A PPAK 8SOIC |
| SIR928-6C-F | LED IR SIDE GAA1AS WATER CLR AXL |
| SIRA02DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A SO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR880ADP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
| SIR880ADP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 80V 6.3mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR880DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 100 % UIS Tested |
| SIR880DP_1011 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
| SIR880DP_1209 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
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