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参数资料
| 型号： | SIR888DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK 8SOIC |
| 产品目录绘图： | DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.25 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5065pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1662 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIR888DP-T1-GE3DKR |
New Product
SiR888DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
70
V GS = 10 thru 3 V
56
42
2 8
14
25 °C, unless otherwise noted
2.0
1.6
1.2
0. 8
0.4
T C = 125 °C
0
V GS = 2 V
0.0
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0. 8
1.6
2.4
3.2
4.0
0.0040
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
6150
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.0036
0.0032
0.002 8
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
4920
3690
2460
0.0024
0.0020
1230
0
C rss
C oss
0
14
2 8
42
56
70
0
5
10
15
20
25
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
I D = 15 A
V GS = 4.5 V
8
6
V DS = 10 V
V DS = 15 V
1.6
1.4
V DS = 20 V
1.2
V GS = 10 V
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0
16
32
4 8
64
8 0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68627
S-81010-Rev. A, 05-May-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR890DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK 8SOIC |
| SIR892DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 50A PPAK 8SOIC |
| SIR928-6C-F | LED IR SIDE GAA1AS WATER CLR AXL |
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| SIRA04DP-T1-GE3 | MOSFET N-CHAN 30V(D-S)POWERPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR890DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SIR890DP-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| SIR890DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 50A 50W 2.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR892DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
| SIR892DP-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8 |
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