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参数资料
| 型号： | SIR928-6C-F |
| 厂商： | Everlight Electronics Co Ltd |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | LED IR SIDE GAA1AS WATER CLR AXL |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| 波长： | 875nm |
| 正向电压： | 1.3V |
| 视角： | 40° |
| 方向： | 侧视图 |
| 安装类型： | 通孔，直角 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | 1080-1177 |
SIR928-6C-F
Electro-Optical Characteristics (Ta=25 ℃ )
Parameter
Light Current
Peak Wavelength
Spectral
Bandwidth
Symbol
Ic(ON)
λ p
Δλ
Condition
I F =4mA,V CE =3.5V
I F =20mA
I F =20mA
Min.
306
--
--
Typ.
--
875
80
Max.
1870
--
--
Units
μ A
nm
nm
I F =20mA
1.3
1.6
Forward Voltage
V F
I F =100mA
Pulse Width ≦ 100 μ s ,Duty ≦ 1%
--
1.4
1.8
V
I F =1A
Pulse Width ≦ 100 μ s ,Duty ≦ 1%.
--
2.6
4.0
Reverse Current
View Angle
I R
2 θ 1/2
V R =5V
I F =20mA
--
--
--
40
10
--
μ A
deg
Rank
Condition ： Vce=3.5V,
Unit ：μ A
I F =4mA
Bin Number
5-2
6-1
6-2
7-1
7-2
MIN
1053
650
465
347
306
MAX
1870
1274
750
550
441
Unit
μ A
μ A
μ A
μ A
μ A
Everlight Electronics Co., Ltd.
http:\\www.everlight.com
Rev: 1
Page: 3 of 8
Device No ： CDIS-092-002
Prepared date:2006/12/26
Prepared by: Kunjiang Xie
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIRA02DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A SO-8 |
| SIRA04DP-T1-GE3 | MOSFET N-CHAN 30V(D-S)POWERPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR-94T530 | 制造商:SEOUL 制造商全称:Seoul Semiconductor 功能描述:Infrared emittng dode |
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