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参数资料
| 型号： | SIS426DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 |
| 产品目录绘图： | DN-T1-E3 Series 1212-8 |
| 特色产品： | N-Channel TrenchFET? Gen III Power MOSFETs with TurboFET? |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.2 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1570pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1660 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIS426DN-T1-GE3DKR |
SiS426DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.020
0.016
0.012
0.00 8
0.004
0.000
I D = 10 A
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2 4 6
8
10
0.4
0.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
8 0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.0
60
- 0.2
I D = 5 mA
40
- 0.4
I D = 250 μ A
- 0.6
- 0. 8
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
10
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
10 ms
1
100 ms
1s
10 s
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS Limited
DC
0.01
0.1 1 10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 68799
S12-0214-Rev. C, 30-Jan-12
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIS436DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 1212-8 |
| SIS452DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK |
| SIS456DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK |
| SIS468DN-T1-GE3 | MOSF N CH 80V 30A 1212-8 PWR PK |
| SIS892ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V D-S PPAK 1212 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS43 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Small Size, Low Profile SMD type |
| SIS430DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
| SIS430DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 25V 35A 52W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS43-100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Small Size, Low Profile SMD type |
| SIS43-101 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Small Size, Low Profile SMD type |
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