型号: |
SIS426DN-T1-GE3 |
厂商: |
Vishay Siliconix |
文件页数: |
8/13页 |
文件大小: |
0K |
描述: |
MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 |
产品目录绘图: |
DN-T1-E3 Series 1212-8
|
特色产品: |
N-Channel TrenchFET? Gen III Power MOSFETs with TurboFET?
|
标准包装: |
1 |
FET 型: |
MOSFET N 通道,金属氧化物
|
FET 特点: |
标准
|
漏极至源极电压(Vdss): |
20V
|
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
35A
|
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
4.2 毫欧 @ 10A,10V
|
Id 时的 Vgs(th)(最大): |
2.5V @ 250µA
|
闸电荷(Qg) @ Vgs: |
42nC @ 10V
|
输入电容 (Ciss) @ Vds: |
1570pF @ 10V
|
功率 - 最大: |
52W
|
安装类型: |
表面贴装
|
封装/外壳: |
PowerPAK? 1212-8
|
供应商设备封装: |
PowerPAK? 1212-8
|
包装: |
标准包装 |
产品目录页面: |
1660 (CN2011-ZH PDF)
|
其它名称: |
SIS426DN-T1-GE3DKR
|