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参数资料
| 型号： | SIS436DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 855pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 27.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIS436DN-T1-GE3DKR |
New Product
SiS436DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
32
24
Package Limited
16
8
0
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
35
2 8
21
14
7
0
2.0
1.6
1.2
0. 8
0.4
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Case
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 64735
S09-0320-Rev. A, 02-Mar-09
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIS452DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK |
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| SIS892ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V D-S PPAK 1212 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS43-6R8 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Small Size, Low Profile SMD type |
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| SIS443DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
| SIS443DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET -40V .0117Ohm@10V 35A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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