- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录516 > SIS468DN-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSF N CH 80V 30A 1212-8 PWR PK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIS468DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 80V 30A 1212-8 PWR PK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 780pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIS468DN-T1-GE3DKR |
SiS468DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
60
48
36
V GS = 10 V thru 5 V
60
48
36
24
12
V GS = 4 V
24
12
T C = 25 ° C
0
V GS = 3 V
0
T C = 125 ° C
T C = - 55 ° C
0
1 2 3 4
5
0.0
1.4
2.8
4.2
5.6
7.0
0.070
0.056
0.042
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1200
960
720
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.028
V GS = 4.5 V
480
C oss
V GS = 7.5 V
0.014
V GS = 10 V
240
C rss
0
0
12
24
36
48
60
0
0
16
32
48
64
80
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
6
I D = 10 A
V DS = 40 V
1.7
1.4
I D = 10 A
V GS = 10 V
4
V DS = 30 V
V DS = 50 V
1.1
V GS = 4.5 V
2
0.8
0
0
4
8 12 16
20
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 63750
S12-0542-Rev. A, 12-Mar-12
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIS892ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V D-S PPAK 1212 |
| SIS902DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 75V 1212-8 PPAK |
| SISA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8 |
| SIZ700DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8 |
| SIZ710DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS472DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIS472DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS476DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIS476DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS478DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。