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参数资料
| 型号： | SIS892ADN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V D-S PPAK 1212 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIS892ADN-T1-GE3DKR |
SiS892ADN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
50
40
30
V GS = 10 V thru 5 V
V GS = 4 V
50
40
30
20
10
20
10
T C = 25 ° C
V GS = 3 V
T C = 125 ° C
T C = - 55 ° C
0
0.0
1.0 2.0 3.0 4.0
5.0
0
0.0
1.6 3.2 4.8 6.4
8.0
0.0700
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
850
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.0600
0.0500
680
510
C iss
C oss
0.0400
0.0300
V GS = 4.5 V
V GS = 7.5 V
V GS = 10 V
340
170
C rss
0.0200
0
8
16 24
I D - Drain Current (A)
32
40
0
0
16
32 48 64
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
80
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.0
Capacitance
I D = 10 A
I D = 10 A
V GS = 10 V
8
6
V DS = 25 V
V DS = 50 V
1.7
1.4
4
2
V DS = 75 V
1.1
0.8
V GS = 4.5 V
0
0.0
2.8
5.6 8.4 11.2
14.0
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 62716
S12-1259-Rev. A, 21-May-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIS902DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 75V 1212-8 PPAK |
| SISA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8 |
| SIZ700DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8 |
| SIZ710DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR |
| SIZ720DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS892DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
| SIS892DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS900A2CN | 制造商:SIS 功能描述: |
| SIS902DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
| SIS902DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 75V 4.0A 15.4W 186mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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