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参数资料
| 型号： | SISA10DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2425pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 39W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SISA10DN-T1-GE3DKR |
New Product
SiSA10DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
t t 1 t 1 1
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
S ingle Pulse
P P DM
t t 1 t 1 1
t t 2 t 2 2
1. Duty Cycle, D = =
t t 2 t 2 2
70 70
2. Per Unit Base = = R thJA = = 81 °C/W
T A P Z
3. T JM - - T T A = = P DM Z thJA(t)
S
4. S urface Mounted
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
S ingle Pulse
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
S quare Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?63819 .
www.vishay.com
6
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 63819
S12-0806-Rev. A, 16-Apr-12
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIZ700DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8 |
| SIZ710DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR |
| SIZ720DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR |
| SIZ902DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V DUAL D-S |
| SKY12322-86LF-EVB | BOARD EVALUATION FOR SKY12322-86 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SISA12ADN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SISA12DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 25A 28W 4.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SISA14DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 14.1A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SISA18ADN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 7.5mOhm@10V 18A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SISA18DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 38.3A 19.8W 7.5mohm @ 10V G4 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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