1N4148WTDICT

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1N4148WTDICT 技术参数

1N4148WT-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:125mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4148WT 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523F 供应商器件封装:SOD-523F 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4148WSTR 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD323 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:300mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2.5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 100°C 标准包装:1 1N4148WSQ-7-F 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1N4148WS-HE3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 1N4150 TR 1N4150_S62Z 1N4150_T26A 1N4150_T50A 1N4150_T50R 1N4150-1 1N4150TAP 1N4150TR 1N4150TR_S00Z 1N4150UR-1 1N4150UR-1/TR 1N4150W-E3-08 1N4150W-E3-18 1N4150W-G3-08 1N4150W-G3-18 1N4150W-HE3-08 1N4150W-HE3-18 1N4151