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1N6625US

配单专家企业名单
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  • 1N6625US
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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 24634

  • MICROSEMI/美高森美

  • SQ-MELFA

  • 21+

  • -
  • 原厂原装现货

  • 1N6625US
    1N6625US

    1N6625US

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:0755-886074588325800283206150

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 131

  • Microsemi Commercial Comp

  • 2016+

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • 1N6625US
    1N6625US

    1N6625US

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 全新库存现货 电话010-6210493...

  • 1N6625US
    1N6625US

    1N6625US

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1N6625US
    1N6625US

    1N6625US

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 91

  • Microsemi Corporation

  • N/A

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode Switching 1.1KV 1A 2-Pin A-MELF
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 1KV 1A 2PIN D-5A - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE RECT ULT FAST REC A-MELF
1N6625US 技术参数
  • 1N6625E3 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1100V(1.1kV) 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.95V @ 1.5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):80ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:A,轴向 供应商器件封装:A,轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6625 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1100V(1.1kV) 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.75V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1100V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 10V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:A,轴向 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6624US 功能描述:DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):990V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.55V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 990V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:A-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6624 功能描述:DIODE REC ULTRA FAST 1.8V PKG A 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N6623US 功能描述:DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):880V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.55V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 880V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:A-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6630 1N6630US 1N6631 1N6631US 1N6632 1N6632US 1N6633 1N6633US 1N6634 1N6634US 1N6635 1N6635US 1N6636 1N6636US 1N6637 1N6637US 1N6638 1N6638US
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