1N6629UE3

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1N6629UE3 技术参数

1N6629 功能描述:DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:880V 电流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 880V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6628US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2.3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:45ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 1N6628US 功能描述:DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:660V 电流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 660V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:A-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6628 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:45ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:A-PAK 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:500 1N6627US 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:440V 电流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 440V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:A-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6634 1N6634US 1N6635 1N6635US 1N6636 1N6636US 1N6637 1N6637US 1N6638 1N6638US 1N6638US/TR 1N6639US 1N6640US 1N6642 1N6642U 1N6642US 1N6642US/TR 1N6642USE3