2N6800U

配单专家企业名单

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供应商
数量
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批号
价格
说明
操作

2N6800U
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

2N6800U
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
18-ULCC
17+
-
全新原装现货

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
N CHANNEL MOSFET - Bulk

2N6800U 技术参数

2N6800 功能描述:MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AF 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:1 2N6798U 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:18-BQFN 裸露焊盘供应商器件封装:18-ULCC（9.14x7.49）标准包装:1 2N6798 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AF 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:1 2N6796U 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:18-BQFN 裸露焊盘供应商器件封装:18-ULCC（9.14x7.49）标准包装:1 2N6796 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AF 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:1 2N697A 2N697S 2N6987 2N6987U 2N6988 2N6989 2N6989U 2N6989UTX 2N699 2N6990 2N7000 2N7000,126 2N7000_D26Z 2N7000_D74Z 2N7000_D75Z 2N7000BU 2N7000-D26Z 2N7000-D74Z