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AOTF410

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    AOTF410

    AOTF410

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

    电话:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质:营业执照

  • 3079

  • AOS

  • TO-220F

  • 13+

  • -
  • 原装现货/特价

  • 1/1页 40条/页 共4条 
  • 1
AOTF410 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
AOTF410 技术参数
  • AOTF409 功能描述:MOSFET P-CH 60V 5.4A TO220FL 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.4A(Ta),24A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2953pF @ 30V 功率 - 最大值:2.16W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FL 标准包装:1,000 AOTF404 功能描述:MOSFET N-CH 105V 5.8A TO220FL 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):105V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.8A(Ta),26A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):28 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2445pF @ 25V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FL 标准包装:50 AOTF3N90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.4A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.7 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF3N80 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.8 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):510pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF3N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 3A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):331pF @ 25V 功率 - 最大值:31W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF4N90 AOTF4S60 AOTF4T60P AOTF5B60D AOTF5B65M1 AOTF5N100 AOTF5N50 AOTF5N50FD AOTF6N90 AOTF7N60 AOTF7N60FD AOTF7N65 AOTF7N70 AOTF7S60L AOTF7S65 AOTF7T60 AOTF7T60L AOTF7T60P
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