APT10035LFLLX

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

没找到与 " APT10035LFLLX " 相关的供应商

您可以：

1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索

2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复发布紧急采购

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： APT10035LLLG APT1003RBLLG APT1003RKLLG APT10045B2LLG APT10045JLL APT10078BLLG APT10078SLLG APT10090BFLLG APT10090BLLG

APT10035LFLLX PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APT10035LFLLX 技术参数

APT10035JLL 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:186nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5185pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT10035JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:370 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:186nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5185pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 APT10035B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:186nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5185pF @ 25V 功率 - 最大值:690W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:30 APT10035B2FLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:370 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:186nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5185pF @ 25V 功率 - 最大值:690W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:30 APT10021JLL 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:210 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:395nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9750pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT100DL60BG APT100DL60HJ APT100F50J APT100GF60JU2 APT100GF60JU3 APT100GLQ65JU2 APT100GLQ65JU3 APT100GN120B2G APT100GN120J APT100GN120JDQ4 APT100GN60B2G APT100GN60LDQ4G APT100GT120JR APT100GT120JRDQ4 APT100GT120JU2 APT100GT120JU3 APT100GT60B2RG APT100GT60JR