您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

APT102GA60LMI

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT102GA60LMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖女士
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
Microsemi
TO-264
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

1/1页 40条/页共1条
1

您是不是要找： APT-106 APT106N60B2C6 APT-106-T APT10DC120HJ APT10M09B2VFRG APT10M11B2VFRG APT10M11JVRU2 APT10M11JVRU3 APT10SCD120B

APT102GA60LMI PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APT102GA60LMI 技术参数

APT102GA60L 功能描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:183A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):307A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，62A 功率 - 最大值:780W 开关能量:1.354mJ（开）， 1.614mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:294nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/212ns 测试条件:400V，62A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT102GA60B2 功能描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:183A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):307A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，62A 功率 - 最大值:780W 开关能量:1.354mJ（开）， 1.614mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:294nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/212ns 测试条件:400V，62A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:30 APT100S20LCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 120A Through Hole TO-264-3, TO-264AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:70ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 200V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT100S20BG 功能描述:Diode Schottky 200V 120A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:70ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 [B] 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT100MC120JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:143A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:360nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5960pF @ 1000V 功率 - 最大值:600W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT10SCD120BCT APT10SCD120K APT10SCD65K APT10SCD65KCT APT10SCE120B APT10SCE170B APT11F80B APT11F80S APT11GF120BRDQ1G APT11GF120KRG APT11N80BC3G APT11N80KC3G APT1201R4BFLLG APT12031JFLL APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG