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APT13005I-G1

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APT13005I-G1 技术参数

APT13005DT-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 4A 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:900mV @ 1A，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:8 @ 2A，5V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 APT13005DTF-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 4A 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:900mV @ 1A，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:8 @ 2A，5V 功率 - 最大值:28W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F-3 标准包装:1,000 APT13005DI-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 4A 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:900mV @ 1A，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:8 @ 2A，5V 功率 - 最大值:25W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251 标准包装:3,600 APT13003SZTR-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 1.3A TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 250mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.1W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,000 APT13003SU-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 1.3A TO126 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 250mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:4,000 APT13GP120KG APT14050JVFR APT14F100B APT14F100S APT14M100B APT14M100S APT14M120B APT150GN120J APT150GN120JDQ4 APT150GN60B2G APT150GN60J APT150GN60JDQ4 APT150GN60LDQ4G APT150GT120JR APT15D100BCTG APT15D100BG APT15D100BHBG APT15D100KG