APTGT400SK120G全国供应商 APTGT400SK120G资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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说明
操作

APTGT400SK120G
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生13360533550
电话：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
16221
MICROSEMI/美高森美
NA
22+
-
原厂原装现货

APTGT400SK120G
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
15862
MICROSEMI
Standa..
22+
-
全新原装正品现货热卖

APTGT400SK120G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP6
17+
-
全新原装现货

APTGT400SK120G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
20
MICROSE
1521+
-
全新原装现货

APTGT400SK120G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APTGT400SK120G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：江先生
电话：0755-236033608325800283223169
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

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功能描述
IGBT 1200V 560A 1785W SP6
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGT400SK120G 技术参数

APTGT400SK120D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 580A 2100W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:580A 功率 - 最大值:2100W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:750μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:29nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D-3 模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGT400DU120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 560A 1785W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:双，共源电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:560A 功率 - 最大值:1785W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:750μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:28nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT400DA60D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 500A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:24nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D-3 模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGT400DA120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 560A 1785W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:560A 功率 - 最大值:1785W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:750μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:28nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT400DA120D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 580A 2100W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:580A 功率 - 最大值:2100W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:750μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:29nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D-3 模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGT50A120D1G APTGT50A120T1G APTGT50A120TG APTGT50A170D1G APTGT50A170T1G APTGT50A170TG APTGT50A60T1G APTGT50DA120D1G APTGT50DA120TG APTGT50DA170D1G APTGT50DA170T1G APTGT50DA170TG APTGT50DDA120T3G APTGT50DDA60T3G APTGT50DH120T3G APTGT50DH120TG APTGT50DH170TG APTGT50DH60T1G

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