APTM120UM95FA

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTM120UM95FAG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP6
17+
-
全新原装现货

APTM120UM95FA
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
8000
isc,iscsemi
S108X62-4L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

1/1页 40条/页共6条
1

您是不是要找： APTM120UM95FAG APTM20AM04FG APTM20AM05FG APTM20AM05FTG APTM20AM06SG APTM20AM08FTG APTM20AM10FTG APTM20AM10STG APTM20DAM04G

APTM120UM95FA PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APTM120UM95FA PDF下载

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER FREDFET TRANSISTOR

APTM120UM95FA 技术参数

APTM120UM70FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:171A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:80 毫欧 @ 85.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1650nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:43500pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM120UM70DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:171A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:80 毫欧 @ 85.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1650nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:43500pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM120U10SCAVG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:116A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 58A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28900pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM120U10SAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:116A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 58A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28900pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM120U10DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:116A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 58A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28900pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM20DAM05G APTM20DAM08TG APTM20DAM10TG APTM20DHM08G APTM20DHM10G APTM20DHM16T3G APTM20DHM16TG APTM20DHM20TG APTM20DUM04G APTM20DUM05G APTM20DUM05TG APTM20DUM08TG APTM20DUM10TG APTM20HM08FG APTM20HM10FG APTM20HM16FTG APTM20HM20FTG APTM20HM20STG