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BFQ49B

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BFQ49B 技术参数
  • BFQ31ATC 功能描述:RF Transistor NPN 15V 100mA 600MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 频率 - 跃迁:600MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):6dB @ 60MHz 增益:- 功率 - 最大值:330mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 3mA,1V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:10,000 BFQ31ATA 功能描述:RF Transistor NPN 15V 100mA 600MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 频率 - 跃迁:600MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):6dB @ 60MHz 增益:- 功率 - 最大值:330mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 3mA,1V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BFQ19SH6327XTSA1 功能描述:RF Transistor NPN 15V 120mA 5.5GHz 1W Surface Mount SOT-89-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 频率 - 跃迁:5.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3dB @ 1.8GHz 增益:7dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 70mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):120mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 BFQ19,115 功能描述:TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 频率 - 跃迁:5.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3.3dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):25 @ 70mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 BFQ18A,115 功能描述:TRANS NPN 18V 150MA SOT89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):18V 频率 - 跃迁:4GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):25 @ 100mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 BFR 181T E6327 BFR 181W E6327 BFR 182 B6663 BFR 182 E6327 BFR 182T E6327 BFR 182W E6327 BFR 183 E6327 BFR 183T E6327 BFR 183W E6327 BFR 193 E6327 BFR 193L3 E6327 BFR 193W E6327 BFR 340T E6327 BFR 360F E6327 BFR 360F E6765 BFR 360L3 E6327 BFR 360L3 E6765 BFR 360T E6327
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