STFHEB25.176

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STFHEB25.176 技术参数

STFH24N60M2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.168 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件状态:新产品标准包装:46 STFH18N60M2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.255 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件状态:新产品标准包装:46 STFH13N60M2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.35 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件状态:新产品标准包装:46 STFH10N60M2 功能描述:MOSFET NCH 600V 7.5A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:新产品 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:600 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:46 STF9NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:745 毫欧 @ 3.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:452pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STFI13N60M2 STFI13N65M2 STFI13N80K5 STFI13N95K3 STFI13NK60Z STFI13NM60N STFI14N80K5 STFI15N60M2-EP STFI15N65M5 STFI15N95K5 STFI15NM65N STFI20N65M5 STFI20NK50Z STFI20NM65N STFI24N60M2 STFI24NM60N STFI260N6F6 STFI26N60M2