配单专家企业名单

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说明
操作

STH2007TBR
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
5000
ST
BGA
23+
-
原厂原装正品现货

STH2007TBR
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
ST
BGA
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

STH2007TBR?
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18260
ST
BGA
22+
-
全新原装正品现货特价

STH2007TBR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ST
BGA36
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STH2007TBR
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
9000
ST
BGA
22+
-
公司原装现货，可订货，有单来谈QQ：16...

STH2007TBR
北京力通科信电子有限公司
北京力通科信电子有限公司
联系人：韩小姐
电话：13661385246
地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台
3000
ST
BGA
10+
-
100%公司原装现货只做原装 1366...

STH2007TBR
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
ST
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

STH2007TBR
深圳市博盛源科技有限公司
深圳市博盛源科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-23984783
地址：华强广场C座22K
资质：营业执照
46700
ST
TFBGA36
21+
-
一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

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您是不是要找： STH210N75F6-2 STH-22 STH240N10F7-2 STH240N10F7-6 STH240N75F3-2 STH240N75F3-6 STH245N75F3-6 STH250N55F3-6 STH250N6F3-6

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STH2007TBR 技术参数

STH-20 功能描述:Fiber Optic Kit 4-40, 6-32, 8-23 Male-Female Hex Threaded Standoff, Screws 325 pcs - 25 ea of 10 Standoffs, 3 sizes Screws 制造商:keystone electronics 系列:- 包装:塑料柜零件状态:有效套件类型:4-40，6-23，8-32 公型-母型六角形镙纹支座，螺钉数值:325 件 - 10 个支架，3 种尺寸的螺钉，各 25 件标准包装:1 STH-19 功能描述:Fiber Optic Kit 4-40, 6-32, 8-32 Male-Female Hex Brass Zinc Plated Threaded Standoff 750 pcs - 50 ea of 1/2", 3/4", 1", 1 1/4", 1 1/2" 制造商:keystone electronics 系列:- 包装:塑料柜零件状态:有效套件类型:4-40，6-32，8-32 公型-母型六角形黄铜镀锌镙纹支座数值:750 件 - 1/2"，3/4"，1"，1 1/4"，1 1/2"，各 50 件标准包装:1 STH185N10F3-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F3 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:114.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:H2PAK-6 标准包装:1 STH185N10F3-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F3 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:114.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH180N10F3-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:114.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH260N6F6-2 STH260N6F6-6 STH265N6F6-2AG STH265N6F6-6AG STH270N4F3-2 STH270N4F3-6 STH270N8F7-2 STH270N8F7-6 STH272N6F7-6AG STH275N8F7-2AG STH275N8F7-6AG STH290N4F6-2 STH290N4F6-2AG STH290N4F6-6 STH290N4F6-6AG STH300NH02L-6 STH310N10F7-2 STH310N10F7-6